Az RF Micro Devices bejelentette sikeres és népszerű gallium-nitrid (GaN) gyártástechnológiájának továbbfejlesztését. Az új technológiát nagyfeszültségű, teljesítménykonverziós alkalmazásokban használt, teljesítményelektronikai eszközökre optimalizálták

Az RFMD legújabb fejlesztésű, GaN gyártástechnológája az rGaN-HV(tm) névre hallgat, és az 1 ... 50 kW teljesítményspektrumban jelentős költség- és energiamegtakarítást kínál a teljesítménykonverzióban. Az rGaN-HV technológiánál a letörési feszültség 900 V is lehet, csúcsáram-bírási képessége magas, a GaN teljesítménykapcsolók és -diódák kapcsolási idői pedig rendkívül rövidek lehetnek. Az új technológia az RFMD nagyteljesítményű, 400 V letörési feszültségű, RF alkalmazásokhoz fejlesztett GaN 1, valamint a nagy linearitású rendszerekhez fejlesztett, 300 V letörési feszültségű GaN 2 mellett fut. Az RFMD a megrendelői számára a Greensboro-i szeletgyártó üzemében gyártja a diszkrét alkatrészeket, valamint hozzáférést biztosít az rGaN-HV gyártástechnológiához félvezetőgyártó partnerei számára is.

Az RFMD honlapja