A napenergiás inverterek, szünetmentes tápegységek, hegesztő berendezések fejlesztői folyamatosan kihívások előtt állnak, hiszen rendszereiket a lehető legnagyobb hatásfokra, termikus szempontból a legjobban szabályozhatóra kell tervezniük, alacsony alkatrészszám mellett. A Fairchild Semiconductor fotóelektromos inverteres alkalmazásokhoz most egy egész sorozat, 650 V-os IGBT-t fejlesztett ki, amelyekkel megfelel a követelményeknek

A Fairchild-féle Field Stop IGBT technológia nagymegbízhatóságú tervezést támogat, a nagy bemeneti feszültség és alacsony veszteségek pedig optimális teljesítményt biztosítanak. A 650 V-os IGBT-k áramterhelhetőségi képessége nagy, pozitív hőmérsékleti együtthatójúak, biztonságos működési tartományuk széles.

A magas letörési feszültség jótékony hatása negatív környezeti hőmérsékletnél mutatkozik meg igazán. A hőmérséklet csökkenésével párhuzamosan az IGBT és FRD blokkoló feszültségek is csökkennek, az alkatrészek így kifejezetten előnyösek hidegebb klímában napenergiás inverterek építéséhez. A Fairchild új, 650 V-os IGBT-inek feléledése gyors és sima, be- és kikapcsolási veszteségeik, valamint disszipációjuk alacsony.

A Fairchild 650 V-os IGBT-k jellemzői:

• nagy feszültségblokkolási képesség teljesítmény-kompromisszumok nélkül,
• pozitív termikus együttható, egyszerű párhuzamos működtetés,
• nagy áramterhelhetőségi képesség, nagyteljesítményű DC/AC átalakítás,
• maximális réteghőmérséklet: TJ=175 °C,
• alacsony szaturációs feszültség: V_CE(sat)= 1,9 V (jellemző) @ I_c = 40 A / 60 A névleges áram,
• nagy kapcsolási sebesség, magas rendszerhatásfok,
• alacsony vezetési és kapcsolási veszteségek,
• széles biztonságos működési terület,
• kis toleranciájú paraméterek,
• RoHS-kompatibilitás.

A Fairchild Semiconductor honlapja