FőoldalKonstruktőrÚj, két kimenetű gate-meghajtó fejlesztőkártya teljesítményelektronikai modulok fejlesztői számára
2011. december 01., csütörtök ::

Új, két kimenetű gate-meghajtó fejlesztőkártya teljesítményelektronikai modulok fejlesztői számára

A SemiSouth Laboratories bejelentette SGDR2500P2 típusjelű újdonságát. A dupla kimenetű, kétállapotú, opto-szigetelésű gate-meghajtó fejlesztőkártyával a vállalat célja, hogy a saját VJFET termékein alapuló, teljesítményelektronikai modulok fejlesztését támogassa

A kártya elektromos szigetelésű felső- és alsó oldali kimenetekkel is rendelkezik, amelyeknél a csúcsáram +20/-10 A, és amelyet nagy kapcsolási sebesség és rendkívül alacsony kapcsolási energiaveszteség jellemez. Az SGDR2500P2-t olyan nagy sebességű teljesítményelektronikai modulokhoz optimalizálták, mint amilyen például a Microsemi 1200 V-os, 100 A-es félhídja, az APTJC120AM13VCT1AG. A kártya mindazonáltal alkalmas arra is, hogy fejlesztési vagy kvalifikációs stádiumban időtakarékossági okokból egyéb projektekhez is felhasználják.

Az SGDR2500P2 képes izolált, ±15 V tápfeszültség előállítására, így nincs feltétlen szükség több tápegységre a rendszerben. A kártya maximális kapcsolási frekvenciája 100 kHz, lehetővé téve a tervezők számára a szilícium-karbid technológiában rejlő, nagyfrekvenciás képességek kiaknázását, és a drága, nagy méretű, mágneses alkatrészek használatának mellőzését. Az univerzális használhatóság jegyében a kitöltési tényező 0 és 100% között állítható. A fejlesztőkártya célalkalmazásai a merev kapcsolású hidak, inverterek, konverterek.

A SemiSouth Laboratories honlapja

Lambert Miklós

ELEKTRONET szerkesztőbizottság elnöke

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény