FőoldalKonstruktőrA világ legkisebb ellenállású SiC teljesítménytranzisztora hatékony teljesítménymenedzsment alkalmazásokhoz
2011. július 05., kedd ::

A világ legkisebb ellenállású SiC teljesítménytranzisztora hatékony teljesítménymenedzsment alkalmazásokhoz

A nagyfeszültségű, nagy hatásfokú, ipari teljesítménymenedzsment és -konverziós alkalmazásokhoz szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológiákat fejlesztő SemiSouth Laboratories bejelentette legújabb, 1200 V-os JFET-jeit rekord alacsony, 45 mΩ ellenállással. Az egyedülálló tulajdonságú tranzisztorokat a gyártó egy sor ipari alkalmazás igényeinek megfelelően alkotta meg, így napelemes invertereknél, kapcsolóüzemű tápegységeknél, indukciós fűtőrendszereknél, szünetmentes áramforrásoknál, szélerőműves rendszereknél, motormeghajtóknál egyaránt jól teljesítenek az új alkatrészek

A SemiSouth Labs-nek ez a hatodik trench SiC JFET terméke (az elsőt még 2008-ban mutatták be), a legújabb verzió pedig a kereskedelmi forgalomban kapható SiC-tranzisztorok közül a legalacsonyabb bekapcsolt állapoti ellenállással büszkélkedhet.

A rekord alacsony, legfeljebb 45 mΩ RDS(on) bekapcsolt állapoti ellenállást relatív kis területű chippel érte el a gyártó, amely biztosítja az alacsony gate-töltést és intrinsic kapacitást, ezzel lehetővé téve a nagy hatásfokú, kis veszteségű, nagyfrekvenciás működést. A SJDP120R045 típusszám alatt kapható, TO-247 tokozású, pozitív hőmérsékleti együtthatós JFET-ek egyszerűen párhuzamosíthatók, egészen a 175 °C maximális működési hőmérsékletig. Az új tranzisztor a modulgyártó partnerek számára chip formában is elérhető a SJDC120R045 típusnév alatt, a feszültségvezérlésű topológia támogatására pedig több, egyszerű gate-meghajtó áramköri terv és alkalmazási jegyzet is elérhető a vállalattól.

A SemiSouth Labs honlapja

Lambert Miklós

ELEKTRONET szerkesztőbizottság elnöke

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény