A drain feszültség 65 V-ra emelése az alábbi legfőbb előnyöket biztosítja az 50 V-hoz képest:
- nagyobb teljesítmény: a nagyobb drain feszültség nagyobb teljesítménysűrűséget biztosít, amivel csökkenthető a kombinálható tranzisztorok száma,
- rövidebb fejlesztési idő: a nagyobb drain feszültséggel a kimeneti teljesítmény úgy növelhető, hogy a közben a kimeneti impedancia jól kordában tartható,
- újrafelhasználható rendszertervek: a kimeneti impedancia hasonlósága miatt a jelenlegi, 50 V drain feszültségű LDMOS rendszerre tervezett kapcsolások újrafelhasználhatók, kiváló skálázhatósági lehetőségeket biztosítva,
- menedzselhető áram: a nagyobb drain feszültség csökkenti a rendszer áramveszteségeit,
- széles biztonsági tartomány: a nagyobb, 182 V letörési feszültség növeli a rendszer strapabíróságát, és lehetővé teszi a magasabb hatásfoki kategóriákban való működést.
