Mint ismeretes, az alkatrészek, csíkszélességek csökkentésének fizikai határai vannak. Az alkatrész sűrűség növelésére ezért új megoldásokat kell keresni. Ezek egyike a „felfelé” terjeszkedés. Ezt az utat választotta a SanDisk és a Kioxia, amellyel sikerült létrehozniuk a világ legnagyobb sűrűségű 3D NAND flash memóriáját.
A Tom’s Hardware híradása szerint a Future of Memory and Storage (FMS) 2026 konferencián mutatták be a BiCS10 nevű 3D QLC NAND memóriachipet. Ebben a SanDisk és stratégiai partnere, a japán memóriachip-gyártó Kioxia 332 aktív réteget helyezett egymás fölé. Az új memória több mint 37 gigabitet képes tárolni négyzetmilliméterenként, ami jelenleg iparági rekord. A memória és az SSD vezérlője közötti adatkapcsolat sebesség 4800 MT/s. Itt kell megjegyezni, hogy a Samsung tizedik generációs memóriái több réteggel rendelkeznek és gyorsabbak, akár 5600 MT/s-ot is elérhetnek, viszont nem érik el ezt az adattárolási sűrűséget.
Az új memória célcsoportját a nagy teljesítményű adatközponti SSD-k jelentik. Itt ugyanis egyszerre kell óriási mennyiségű adatot tárolni és rendkívül gyorsan kiszolgálni. A nagy sebesség azonban jellemző módon nagyobb energiafogyasztással jár, ezért a Kioxia és a Sandisk egy új áramköri megoldást (PI-LTT) is bevezetett. Ez csökkenti a memória és a vezérlő közötti adatátvitel energiaigényét, miközben megőrzi a gyors és megbízható működést, ami különösen fontos a több ezer SSD-t üzemeltető adatközpontok számára.
A gyártó szavai szerint a legújabb BiCS10 technológiai eljárásnak betudhatóan alacsonyabbak az előállítási költségeik a versenytársak nagy sűrűségű 3D QLC NAND IC-ihez képest. Ennek eredményeként a konkurenseknél olcsóbban kínálhatnak ultra nagy kapacitású SSD-ket, vagy ha hasonló áron értékesítenek, akkor nagyobb lesz a haszonkulcsuk.
A Kioxia szerint az új BiCS10 chipeket a cég legmodernebb üzemében, a japán Kitakamiban fogják gyártani.
Forrás: www.tomshardware.com
Kép: KIOXIA
