Az RF Micro Devices vállalat bejelentette RF3931 típusjelzésű áramkörének elérhetőségét.A 48 V feszültségű, 30 W teljesítményű gallium-nitrid (GaN) tranzisztort nagyteljesítményű kereskedelmi és védelmi ipari alkalmazásokhoz fejlesztette az RFMD. Az RF3931 a vállalat első olyan GaN technológiás terméke, amelyik elérte azt a minőségi szintet, amely szerint az RFMD tömeggyártásba engedi rádiófrekvenciás termékeit. Az RF3931-ből már több nagyteljesítményű erősítő gyártónak szállított a vállalat mintákat és az igény további növekedésével számol

A 30 W-os RF3931 tagja a vállalat azon öt tagot számláló GaN tranzisztorcsaládjának, amelyet a következő két negyedév folyamán tömeggyártásba bocsátanak. A 10 és 120 W teljesítményű, nagy sávszélességű teljesítménytranzisztorokkal kiváló minőségű és hatásfokú, nagyteljesítményű erősítők tervezhetők számtalan alkalmazáshoz, akár cellarendszerű mobil távközlési hálózatokhoz, WiMax infrastruktúrához, kábeltévé-hálózatokhoz, katonai hírközlési rendszerekhez, radarokhoz és radarzavarókhoz is. Az RFMD nagy figyelmet fordított a tervezés során a termék zöld minősítésére.

További információ